“現(xiàn)在越來越多的企業(yè)在布局第三代半導體公司，購置相關(guān)設(shè)備都比較緊張?！苯?，一家LED供應(yīng)鏈人士向21世紀經(jīng)濟報道記者表示。

盡管設(shè)備搶手和供應(yīng)鏈短缺大環(huán)境有關(guān)，但是第三代半導體（也稱寬禁帶半導體）市場的火熱可見一斑。在日前集邦咨詢化合物半導體新應(yīng)用前瞻分析會上，集邦咨詢化合物半導體分析師龔瑞驕表示：“據(jù)我們統(tǒng)計，去年整個寬禁帶半導體（功率和射頻部分）的投資規(guī)模達到了709億，比上一年翻了一倍多?！?/p>

同時，第三代半導體應(yīng)用需求也在增長，隨著碳化硅（SiC）進入新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈、氮化鎵（GaN）在快充上的規(guī)?；瘧?yīng)用，第三代半導體逐步進入消費端和工業(yè)端，在功率半導體領(lǐng)域嶄露頭角。

值得一提的是，碳中和相關(guān)政策正持續(xù)對第三代半導體發(fā)展帶來東風，由于碳化硅和氮化鎵都有助于提升能效，企業(yè)的投入意愿也在增強。12月8日，國家發(fā)改委等四部門印發(fā)的新方案提出，到2025年，數(shù)據(jù)中心和5G基本形成綠色集約的一體化運行格局。根據(jù)天風證券的測算，若全球采用硅芯片器件的數(shù)據(jù)中心都升級為氮化鎵功率芯片器件，將減少30%-40%的能源浪費。而氮化鎵目前已經(jīng)在5G基站中使用，并且不少企業(yè)正在布局數(shù)據(jù)中心的氮化鎵電源產(chǎn)品。

眼下，第三代半導體正迎來黃金發(fā)展期，但同時也需要注意，產(chǎn)業(yè)仍處在初級階段，整體規(guī)模較小，眾多企業(yè)涌入，更要關(guān)注實際的市場需求。

國內(nèi)探索“直道超車” 未來5年進入整合期

從產(chǎn)業(yè)鏈看，第三代半導體主要有襯底、外延、設(shè)計、制造、封測、應(yīng)用等環(huán)節(jié)，目前國外的半導體公司仍占據(jù)核心地位，而面對確定的市場前景，國內(nèi)的企業(yè)也蜂擁而至。

其中，LED產(chǎn)業(yè)集群是一支重要力量，因為在照明、顯示等光電器件中，原本就需要使用氮化鎵等材料，所以三安光電、華燦光電等企業(yè)已經(jīng)具備材料和工藝的基礎(chǔ)，以及相關(guān)生產(chǎn)的經(jīng)驗，這是他們的優(yōu)勢。當然光電器件和功率IC之間的工藝差異明顯，IC技術(shù)難度升級，產(chǎn)線拓展也存在著挑戰(zhàn)。

對于氮化鎵的布局，華燦光電副總裁王江波向21世紀經(jīng)濟報道記者表示：“2020年華燦光電募集約3億元投向GaN電力電子器件領(lǐng)域。電子電力器件與公司深耕的光電領(lǐng)域應(yīng)用市場有所不同，但材料體系相似，工藝制備方面有一定相通之處，電力電子器件產(chǎn)品工藝段更為復(fù)雜，線寬控制和設(shè)備的要求更高。目前6英寸硅基GaN 電力電子器件工藝已通線，預(yù)計2022年推出650V cascode產(chǎn)品，2023年具備批量生產(chǎn)和代工能力?！?/p>

在未來的產(chǎn)品規(guī)劃上，王江波表示，華燦光電不僅僅針對快充領(lǐng)域，也會面向數(shù)據(jù)中心，電動汽車、通訊等領(lǐng)域布局。

對于華燦光電而言，切入第三代半導體一方面是產(chǎn)業(yè)的橫向拓展，另一方面也符合公司探索高端化的路線；再看三安光電，版圖更加完善，除了氮化鎵產(chǎn)線，今年長沙的碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈生產(chǎn)線一期投產(chǎn)。

LED之外，擁有功率半導體經(jīng)驗的企業(yè)們也在加速布局，比如聞泰科技，在氮化鎵功率器件領(lǐng)域頻頻落子并出貨，旗下安世半導體也和汽車企業(yè)進行合作。國內(nèi)功率半導體龍頭華潤微積極布局第三代半導體，已有碳化硅產(chǎn)品量產(chǎn)，也研發(fā)了氮化鎵器件。制造領(lǐng)域，以北方華創(chuàng)、中微為代表的設(shè)備廠商也迎來第三代半導體的增量市場。

同時，諸多專注于做第三代半導體的國內(nèi)公司也在成長中，比如氮化鎵功率芯片領(lǐng)域迅速增長的英諾賽科；碳化硅領(lǐng)域的基本半導體、天科合達、天岳先進、同光晶體等等，并且聚焦在襯底環(huán)節(jié)的企業(yè)尤其多。

和國外相比，國內(nèi)企業(yè)仍存在差距，龔瑞驕告訴記者：“第一個是碳化硅的襯底，海外目前是6英寸轉(zhuǎn)8英寸，國內(nèi)現(xiàn)在是4英寸轉(zhuǎn)6英寸，有很大差距；另一個海外商用碳化硅使用了MOS管，而國內(nèi)還在使用二極管?！?/p>

有業(yè)內(nèi)人士指出，碳化硅在中國100多個項目，幾乎沒有做車規(guī)級的，因為行業(yè)門檻很高，車規(guī)級和工業(yè)級、消費級相比，做可靠性實驗的時間完全不一樣，不是一個數(shù)量級，其表示：“消費級只需要幾十小時，工業(yè)級要幾百小時，而車規(guī)級要幾千小時，因為坐上車，最重要的是安全，一個車廠要采用一個車規(guī)級的器件沒有三五年是不行的。雖然國內(nèi)的汽車廠也有跟一些企業(yè)合作，但是要長期合作，國內(nèi)的車廠采用的車規(guī)級的進口的器件、芯片都存在供應(yīng)緊張的問題?，F(xiàn)在國內(nèi)車廠的國產(chǎn)化有巨大的空間，我們首先要和國外的車規(guī)級芯片、器件做到同等水平，在此基礎(chǔ)上再去發(fā)展新的創(chuàng)新?！?/p>

在近年的科技博弈中，國內(nèi)對半導體產(chǎn)業(yè)關(guān)注空前，第三代半導體也被視為彎道超車的一個方向，對此，上述業(yè)內(nèi)人士談道：“其實在彎道的時候跑快了容易摔跤，正確的做法是在直線的時候超車?，F(xiàn)在國內(nèi)是遍地的游擊隊，要直線超車就要打造軍團，海外也是這么一個過程，有了資本的支持，可以把這些游擊隊整合起來，去實現(xiàn)直線超車。所以未來5年，我預(yù)測是一個整合的過程。”

碳化硅整合 氮化鎵起步

雖然相比硅市場，第三代半導體的市場份額還很小，現(xiàn)在主要聚焦在功率半導體等領(lǐng)域，但是增長空間巨大。

龔瑞驕談道，受益于新能源革命，下游的光伏、儲能、新能源汽車以及工業(yè)自動化的爆發(fā)，功率半導體行業(yè)迎來了新的高景氣周期，“整個功率半導體、分離器件和模塊的市場規(guī)模將從2020年的204億美元增長到2025年的274億美元，寬禁帶半導體的市場規(guī)模將從2020年的不到5%達到2025年的接近17%?！?/p>

第三代半導體材料目前產(chǎn)業(yè)化主要集中在碳化硅和氮化鎵兩個方向，其中碳化硅應(yīng)用已有十多年，產(chǎn)業(yè)化更加成熟。

“我們預(yù)測全球的SiC功率市場規(guī)模將從2020年的6.8億美元增長到2025年的33.9億美元，其中新能源汽車將成為最主要的驅(qū)動力，SiC將在主逆變器、OBC、DCDC中取得主要的應(yīng)用，另外在車外的充電樁和光伏儲能領(lǐng)域有很大的應(yīng)用。在這兩年光伏儲能領(lǐng)域SiC會有加速的滲透，當然它和汽車市場還是遠遠不能比?！饼徣痱湻治龅馈?/p>

在全球碳化硅市場上，科銳、意法半導體、英飛凌、羅姆等一線廠商持續(xù)加碼，并進入到產(chǎn)業(yè)鏈一體化競爭的過程中。龔瑞驕談道：“英飛凌、羅姆等等廠商都在向上游延伸，涉及材料領(lǐng)域，特別是對SiC襯底的爭奪。主要是基于以下兩點原因，第一是因為SiC襯底的高產(chǎn)品附加值，第二是因為SiC襯底的技術(shù)制程非常復(fù)雜，它的晶體生長非常緩慢，也成為SiC晶圓產(chǎn)能的關(guān)鍵制約點。未來我們認為取得一個SiC襯底的資源也會成為進入下一代電動車功率器件的入場門票?！?/p>

再看近年來興起的氮化鎵市場，基于快充市場而崛起，這個賽道上既有納微半導體等新興企業(yè)，也有PI等老牌公司。龔瑞驕表示：“GaN的市場還處于一個初期階段，目前在消費市場快速起量，蘋果今年推出了140瓦的GaN快充，我們也認為GaN確實需要從消費電子做一個過渡，反復(fù)驗證它的可靠性，然后建立一個產(chǎn)能和生態(tài)的格局，方便以后推向工業(yè)級以及車規(guī)級。另外GaN整個市場規(guī)模將會從2020年的4800萬美元增長到2025年的13.2億美元。除了消費電子，我們認為它會有很大應(yīng)用的產(chǎn)品是新能源汽車、電信以及數(shù)據(jù)中心?！?/p>

在他看來，隨著集成度的提升，氮化鎵還是IDM和垂直分工并存。IDM中，除了英諾賽科等極少數(shù)的初創(chuàng)企業(yè)，都是以傳統(tǒng)大廠為主；在垂直分工領(lǐng)域基本上都是初創(chuàng)企業(yè)，也成為行業(yè)關(guān)鍵的推動力。

不難看出，近5年內(nèi)，第三代半導體規(guī)模將迎來數(shù)倍的擴張，這也體現(xiàn)在設(shè)備需求的增長上。設(shè)備龍頭AIXTRON（愛思強）副總經(jīng)理方子文向21世紀經(jīng)濟報道記者表示：“不少客戶在積極擴產(chǎn)，整體來看，市場上第三代半導體等材料明確增長，其中氮化鉀、碳化硅，還有磷化銦三種材料增長最為明顯?！?/p>

此外，方子文還談道，由于受到全球產(chǎn)業(yè)鏈短缺的影響，目前相關(guān)設(shè)備的交付周期從6個月延長至8-9個月左右，但是設(shè)備廠商整體產(chǎn)能充足。

成本、良率、需求的多重挑戰(zhàn)

碳化硅有了十多年的應(yīng)用發(fā)展，相比氮化鎵更為成熟，在和硅的競爭中，由于器件本身的特性，碳化硅替代的工藝更方便，相對而言氮化鎵難度更大。但是就在近兩三年，氮化鎵在快充這一賽道得到了驗證，650伏快充這一消費級市場起來后，產(chǎn)業(yè)迅速開始規(guī)?；徽摿悸侍嵘€是成本下降都需要規(guī)?；瘉磉M行正循環(huán)。

由于硅工藝已經(jīng)非常成熟，在單個芯片成本上具有優(yōu)勢，據(jù)了解，碳化硅或氮化鎵的單個器件可以高達硅的4倍?！皬钠噥碚f，單個的成本可能高到兩倍左右，但是（碳化硅）降低了系統(tǒng)性成本，比如應(yīng)用到汽車上可以減輕汽車相關(guān)組件的體積，提高效率，進而就可以縮小電池成本，所以從整車系統(tǒng)看，成本還是下降的?！饼徣痱溝蛴浾吲e例道。

但是對于第三代半導體企業(yè)而言，依然面臨成本的挑戰(zhàn)，產(chǎn)業(yè)鏈的各個環(huán)節(jié)也在想方設(shè)法降本增效、提升良率，多位從業(yè)者向21世紀經(jīng)濟報道記者表示，隨著量產(chǎn)推進，成本將會快速下降。

其中，設(shè)備商扮演著重要角色，“產(chǎn)業(yè)發(fā)展起來，最關(guān)鍵的就是要節(jié)省成本，（碳化硅領(lǐng)域）今天相比競爭對手，愛思強有10%到15%的成本優(yōu)勢，我們預(yù)計在2023年還可以繼續(xù)下降25%左右的成本，”方子文談道，“在氮化鎵領(lǐng)域，我們的生產(chǎn)成本到2023年會持續(xù)下降20%到30%左右，我們的產(chǎn)能也會提升20%到30%左右?！?/p>

這又和自動化產(chǎn)線息息相關(guān)，眾所周知硅芯片產(chǎn)線自動化程度已經(jīng)非常高，產(chǎn)線上人力要素減少，可以全年無休運轉(zhuǎn)，第三代半導體也將經(jīng)歷這一進化過程。方子文回顧道：“8年前就有客戶表示，氮化鎵材料非常好，但是沒法用，因為當時產(chǎn)線還處在手工作坊的做法。所以他們對我們提出了設(shè)備自動化的要求，這樣才能和現(xiàn)有的器件在工藝流程上進行競爭。于是我們很早期的時候就進行了氮化鎵設(shè)備的研發(fā)，之后快充市場爆發(fā)，市場崛起?！?/p>

導入全自動化的生產(chǎn)模式后，第三代半導體能以更低的成本進入市場，在方子文看來，第三代半導體SiC和GaN是一個非常大的市場，在和硅直接做競爭，這需要產(chǎn)業(yè)鏈上下游的配合，從Performance，到放量、終端客戶驗證都需要很好的配合，才能讓SiC、GaN最終走量，進入產(chǎn)業(yè)化的進程。

在不少業(yè)內(nèi)人士看來，第三代半導體在技術(shù)層面并沒有太大瓶頸，國內(nèi)外的實驗室能夠進行技術(shù)攻關(guān)，但是最關(guān)鍵的在于量產(chǎn)，這就涉及團隊的生產(chǎn)經(jīng)驗、人才構(gòu)成等因素。

生產(chǎn)之外，第三代半導體企業(yè)還面對著盈利、需求的考驗，有產(chǎn)業(yè)鏈人士向記者表示：“功率器件生意很難做，有時甚至要倒貼。比如在不少商務(wù)合同中，如果出現(xiàn)產(chǎn)品賠償?shù)膯栴}，功率器件企業(yè)還需要賠償客戶損失的利潤，而非器件本身的成本，因此前端承受的風險較大，一些投資機構(gòu)開始會優(yōu)先選擇封裝環(huán)節(jié)企業(yè)來降低風險?！?/p>

因此，多位半導體資深人士也向記者談道，對于新晉企業(yè)，一定要緊貼市場需求，不能只是投資驅(qū)動發(fā)展，更需要明確出?？冢M行差異化的產(chǎn)業(yè)競爭。